為你介紹ATOS電磁閥各種參數(shù)的
    ATOS電磁閥需要采用長(zhǎng)頸閥蓋結(jié)構(gòu)，其日的是減少外界傳入裝置中的熱量；填料箱部位的溫度在0℃以上，使填料可以正常工作；防止因填料函部分過(guò)冷而使處在填料函部位的閥桿以及閥蓋上部的零件結(jié)霜或凍結(jié)。
    長(zhǎng)頸閥蓋的設(shè)計(jì)主要是頸部長(zhǎng)度L的設(shè)計(jì)，L指的是填料函底部到上密封座上表面的距離，它和材料的導(dǎo)熱系數(shù)、導(dǎo)熱面積及表面散熱系數(shù)、散熱面積等因素有關(guān)，計(jì)算比較繁瑣，般由實(shí)驗(yàn)法求得。
    ATOS電磁閥泄壓部件的分析
    異常升壓的問(wèn)題般只存在于低溫閘閥中。當(dāng)閘閥閘板關(guān)閉后，殘留在閥體中腔的低溫介質(zhì)從周圍環(huán)境中吸收熱量，迅速汽化，在閥體內(nèi)產(chǎn)生很高的壓強(qiáng)。異常升壓的危害很大，它可能將閘板緊緊地壓在閥座上，導(dǎo)致閘板卡死，使閥門不能正常工作，也可能沖壞填料和法蘭墊片，甚引起閥體。因此必須采取措施加以避免。
    常用的措施是設(shè)計(jì)泄壓孔和設(shè)置旁路系統(tǒng)。對(duì)小口徑閥門（DN≤300mm）可以直接在閘板靠近高壓側(cè)（即進(jìn)口端）設(shè)計(jì)個(gè)泄壓孔，對(duì)于大口徑閥門則需增加旁路系統(tǒng)。對(duì)于增加了泄壓孔或旁路系統(tǒng)的低溫閥門必須標(biāo)明介質(zhì)流向。
    ATOS電磁閥上密封裝置的設(shè)計(jì)
    在閥門全開時(shí)，阻止工作介質(zhì)向填料函處泄漏的種裝置稱為上密封裝置。
    上密封裝置有兩個(gè)作用。上密封裝置可以減小工作介質(zhì)對(duì)填料的損壞。工業(yè)閥門在大多數(shù)工作時(shí)間處于開啟狀態(tài)，如無(wú)上密封裝置，則介質(zhì)壓力直接作用于填料。填料長(zhǎng)期處于受壓狀態(tài)，易老化。二，當(dāng)填料處有泄漏時(shí)，全開閥門，使上密封裝置處于工作狀態(tài)，就可以帶壓進(jìn)行填料更換。因此，對(duì)于閘閥和截止閥都規(guī)定要有上密封裝置。
    上密封面可用在閥蓋上堆焊鉆鉻鎢硬質(zhì)合金，然后精加工、研磨而成的工藝制得（對(duì)于奧氏體不銹鋼材料的閥蓋，可直接在閥蓋上加工上密封面），也可在專門的上密封座上研磨而成。
    ATOS電磁閥結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)需注意的問(wèn)題和要求
    （1）低溫閥門關(guān)閉后，殘留在閥體中的低溫介質(zhì)因溫度升高而迅速氣化，造成閥體內(nèi)部異常升壓的問(wèn)題；
    （2）低溫對(duì)填料函密封的不利影響；
    （3）零部件冷變形對(duì)閥門的有害影響；
    （4）低溫介質(zhì)對(duì)零部件的防爆要求等。
    （5）閥體應(yīng)能充分承受溫度變化而引起的膨脹、收縮，且閥座部分的結(jié)構(gòu)不會(huì)因溫度變化而產(chǎn)生變形；
    （6）采用能保護(hù)填料函的長(zhǎng)頸閥蓋結(jié)構(gòu)；
    （7）采用無(wú)論溫度如何變化均能保持密封的閥瓣，例如閘閥采用彈性閘板和開式閘板、截止閥采用錐形閥瓣等；
    （8）采用上密封結(jié)構(gòu)；
    （9）采用鉆鉻鎢硬質(zhì)合金堆焊結(jié)構(gòu)的閥座、閥瓣密封面；
    （10）采用泄壓孔防止異常升壓，泄壓孔開設(shè)位置視閥門結(jié)構(gòu)而定，可以設(shè)在閥體上，也可以設(shè)在閘板上。
    ATOS電磁閥的故障原因分析
    ATOS電磁閥在市面上的發(fā)展快速，但也存在著些問(wèn)題。低溫閥門產(chǎn)生泄漏的原因主要有兩種情況，是內(nèi)漏；二是外漏。
    1．ATOS電磁閥的內(nèi)漏原因分析
    低溫閥門產(chǎn)生內(nèi)漏的主要原因是密封副在低溫狀態(tài)下產(chǎn)生變形所致。當(dāng)介質(zhì)溫度下降到使材料產(chǎn)生相變時(shí)造成體積變化，使原本研磨精度很高的密封面產(chǎn)生翹曲變形而造成低溫密封不良。我們?cè)鴮?duì)DN250閥門進(jìn)行低溫試驗(yàn)，介質(zhì)為液氮（-196℃）蝶板材料為ATOS電磁閥發(fā)現(xiàn)密封面翹曲變形量達(dá)0.12mm左右，這是造成內(nèi)漏的主要原因。
    2．低溫ATOS電磁閥的外漏原因分析
    是由于閥門與管路采用法蘭連接方式時(shí)，由于連接墊料、連接螺栓、以及連接件在低溫下材料之間收縮不同步產(chǎn)生松弛而導(dǎo)泄漏。因此我們把閥體與管路的連接方式由法蘭連接改為焊接結(jié)構(gòu)，避免了低溫泄漏。二是由于是閥桿與填料處的泄漏。般多數(shù)閥門的填料采用F4，因?yàn)樗淖曰⒛Σ料禂?shù)小（對(duì)鋼的摩擦系數(shù)f=0.05～0.1），又具有*的化學(xué)穩(wěn)定性，因此得到廣泛應(yīng)用。但F4也有不足之處，是冷流傾向大；二是線膨脹系數(shù)大，在低溫下產(chǎn)生冷縮導(dǎo)致滲漏，造成閥桿處結(jié)冰，使閥門開啟失靈。為此研制的低溫蝶閥采用自縮密封結(jié)構(gòu)即利用F4膨脹系數(shù)大的特點(diǎn)，通過(guò)予留的間隙達(dá)到常溫、低溫都可以密封的目的。